P-Tipi Yarı İletkenler

P-tipi yarı iletkenler, saf yarı iletken malzemelere (genellikle silisyum veya germanyum) üç değerlikli atomların (örneğin, bor, galyum veya indiyum) kontrollü bir şekilde eklenmesiyle oluşturulur. Bu işleme katkılama (İngilizce: doping) denir.

Üç değerlikli atomlar, yarı iletken kristal yapısına girdiğinde, dört kovalent bağ oluşturmak için yeterli elektrona sahip değildirler. Bu durum, her bir katkı atomu etrafında bir boşluk (İngilizce: hole) oluşturur. Boşluklar, pozitif bir yük taşıyıcısı gibi davranır ve elektrik alan uygulandığında kristal içinde hareket edebilirler.

P-tipi yarı iletkenlerde, boşluklar başlıca yük taşıyıcılarıdır (çoğunluk taşıyıcılar), elektronlar ise azınlık taşıyıcılardır. Bu nedenle, p-tipi yarı iletkenlerin iletkenliği büyük ölçüde boşlukların konsantrasyonuna bağlıdır.

Özellikleri:

• Pozitif yük taşıyıcıları (boşluklar) çoğunluktadır.
• Katkılama işlemi üç değerlikli atomlarla yapılır.
• Enerji%20bandı diyagramında, katkı atomlarının enerji seviyeleri değerlik bandına yakındır.
• Elektrik akımı, boşlukların hareketiyle taşınır.

P-tipi yarı iletkenler, diyotlar , transistörler ve güneş%20hücreleri gibi birçok elektronik cihazın temel bileşenidir.